СТАНДАРТ ВЫТВОРЧАСЦІ ЗВАРАЧНЫХ ДЫЁДАЎ СЕРЫІ ZW
Нарматыўныя спасылкі, якія прымяняюцца Jiangsu Yangjie Runau Semiconductor Co пры вытворчасці зварачных дыёдаў, былі наступнымі:
1. GB/T 4023—1997 Дыскрэтныя прылады паўправадніковых прыбораў і інтэгральныя схемы Частка 2: Выпрамляльныя дыёды
2. GB/T 4937—1995 Метады механічных і кліматычных выпрабаванняў для паўправадніковых прыбораў
3. JB/T 2423—1999 Сілавыя паўправадніковыя прылады - метад мадэлявання
4. JB/T 4277—1996 Упакоўка сілавых паўправадніковых прылад
5. Метад выпрабавання выпрамляльнага дыёда JB/T 7624—1994
Мадэль і памер
1. Назва мадэлі: Мадэль зварачнага дыёда адносіцца да правілаў JB/T 2423-1999, а значэнне кожнай часткі мадэлі паказана на малюнку 1 ніжэй:
2. Графічныя сімвалы і тэрмінальная (пад)ідэнтыфікацыя
Графічныя сімвалы і ідэнтыфікацыя клемы паказаны на малюнку 2, стрэлка паказвае на клему катода.
3. Форма і ўсталявальныя памеры
Форма зварнога дыёда - выпуклая і дыскавая, а форма і памер павінны адпавядаць патрабаванням малюнка 3 і табліцы 1.
| Пункт | Памер (мм) | ||
| ZW7100 | ZW12000 | ZW16000/ZW18000 | |
| Катодны фланец (Dmax) | 61 | 76 | 102 |
| Катод і анод Меза(D1) | 44±0,2 | 57±0,2 | 68±0,2 |
| Максімальны дыяметр керамічнага кольца(D2макс.) | 55.5 | 71.5 | 90 |
| Агульная таўшчыня (A) | 8±1 | 8±1 | 13±2 |
| Адтуліну для мацавання | Дыяметр адтуліны: φ3,5±0,2 мм, глыбіня адтуліны: 1,5±0,3 мм | ||
| Заўвага: пракансультуйцеся з падрабязнымі памерамі і памерамі | |||
Ацэнкі і характарыстыкі
1. Узровень параметраў
Серыя зваротнага паўторнага пікавага напружання (VRRM) адпавядае табліцы 2
Табліца 2 Узровень напружання
| VRRM（V） | 200 | 400 |
| Узровень | 02 | 04 |
2. Гранічныя значэнні
Гранічныя значэнні павінны адпавядаць табліцы 3 і распаўсюджвацца на ўвесь дыяпазон працоўных тэмператур.
Табліца 3 Лімітавае значэнне
| Лімітавае значэнне | Сімвал | Адзінка | Каштоўнасць | |||
| ZW7100 | ZW12000 | ZW16000 | ZW18000 | |||
| Тэмпература корпуса | Ткейс | ℃ | -40～85 | |||
| Эквівалентная тэмпература спалучэння (макс.) | T（VJ） | ℃ | 170 | |||
| Тэмпература захоўвання | Tstg | ℃ | -40～170 | |||
| Паўтаральнае пікавае зваротнае напружанне (макс.) | VRRM | V | 200/400 | 200/400 | 200/400 | 200/400 |
| Адваротнае непаўторнае пікавае напружанне (макс | VRSM | V | 300/450 | 300/450 | 300/450 | 300/450 |
| Прамы сярэдні ток (макс.) | IF (AV) | A | 7100 | 12000 | 16000 | 18000 |
| Прамы (непаўторны) імпульсны ток (макс.) | IФШМ | A | 55000 | 85000 | 120000 | 135000 |
| I²t (макс.) | I²t | кА²с | 15100 | 36100 | 72000 | 91000 |
| Мантажная сіла | F | kN | 22～24 | 30～35 | 45～50 | 52～57 |
3. Значэнні характарыстык
Табліца 4 Максімальныя значэнні характарыстык
| Характар і стан | Сімвал | Адзінка | Каштоўнасць | |||
| ZW7100 | ZW12000 | ZW16000 | ZW18000 | |||
| Прамое пікавае напружаннеIFM=5000А, Тj=25 ℃ | VFM | V | 1.1 | 1.08 | 1.06 | 1.05 |
| Зваротны паўтаральны пік токуTj=25℃, Тj=170 ℃ | IRRM | mA | 50 | 60 | 60 | 80 |
| Цеплавое супраціўленне Спалучэнне да корпуса | Rjc | ℃/Вт | 0,01 | 0,006 | 0,004 | 0,004 |
| Заўвага: для асаблівых патрабаванняў, калі ласка, пракансультуйцеся | ||||||
Theзварачны дыёдвытворчасці Jiangsu Yangjie Runau Semiconductor шырока ўжываецца ў апаратах для супрацівнай зваркі, сярэдніх і высокіх частотах да 2000 Гц і вышэй.Зварачны дыёд ад Jiangsu Yangjie Runau Semiconductor з звышнізкім пікавым напружаннем, звышнізкім тэрмічным супрацівам, сучаснай тэхналогіяй вытворчасці, выдатнай здольнасцю да замены і стабільнай прадукцыйнасцю для карыстальнікаў ва ўсім свеце з'яўляецца адным з самых надзейных прылад у Кітаі. паўправадніковыя вырабы.