Апісанне:
1. ЯGT, ВGTі яHгэта тэставыя значэнні на 25℃, укалі не пазначана іншае, усе астатнія параметры з'яўляюцца тэставымі значэннямі пад Tjm;
2.I2t=I2ФШМ×tw/2, tw= шырыня базы сінусоіднага паўхвалевага току.На 50 Гц я2t=0,005I2ФШМ(A2S);
3.На 60 Гц: IФШМ(8,3 мс)=ЯФШМ(10 мс) × 1,066, Тj=Tj;I2t(8,3 мс)=I2t(10ms)×0,943,Tj=Tjm.
Параметр:
ТЫП | IТ(АВ) A | TC ℃ | VDRM/VRRM V | IТСМ @TВЖЫМ&10 мс A | I2t A2s | VTM @IT&ТJ=25 ℃ В/А | tq μs | Tjm ℃ | Rjc ℃/Вт | Rcs ℃/Вт | F KN | m Kg | КОД | |
Напружанне да 1200В | ||||||||||||||
KA200-** | 200 | 55 | 800~1200 | 2800 | 3,9x104 | 3.20 | 640 | 15 | 125 | 0,060 | 0,010 | 10 | 0,08 | T2A |
KA500-** | 500 | 55 | 800~1200 | 7500 | 2,8x105 | 3.20 | 1570 год | 15 | 125 | 0,039 | 0,008 | 15 | 0,26 | T5C |
KA1000-** | 1000 | 55 | 800~1200 | 15000 | 1,1x106 | 3.20 | 3000 | 15 | 125 | 0,022 | 0,005 | 25 | 0,46 | T8C |